応力DFM・応力解析

微細化が進むにつれ、MOSトランジスタ特性はゲート長/ゲート幅だけでなく、周りのパターン、例えば、活性領域長、活性領域間距離、ゲート間距離、コンタクト間距離などに依存します。これは応力効果によるシステマティックなばらつきと考えられており、下図のような応力DFM設計環境を構築し、予測することができます。本環境は応力歪を考慮したSPICEネットリストを出力し、回路特性を検証するものです。当社の強みは、応力解析を用いて、応力コンパクトモデル用パラメータを抽出するためのTEGパターンの削減やそのパラメータ数を削減できることです。また、応力による電気特性変動を計算し、具体的に表示するツールTiSSiEN-Atroposを提供します。