α線などの放射線がトランジスタに入射したり、ダイオードなどに光を照射した際に発生する電子・正孔対の振る舞いのシミュレーションを可能にするオプションです。ソフトエラー現象やCCD、CMOS-イメージセンサーなどの光センサ解析に必要です。

ジュール熱による発熱がトランジスタ特性に与える影響を考慮したシミュレーションを可能にします。サイリスタ、IGBT等のパワートランジスタや，ESD保護回路、トランジスタの降伏現象など発熱を伴う現象を高精度に計算する事が可能になります。

次元、3次元構造のデバイスを取り扱うモンテカルロデバイスシミュレータです。通常モンテカルロ計算によって挙動を正確に調べる必要のあるキャリアは、エネルギーが0.1〜1eV程度の高いキャリアであり、モンテカルロ計算で高精度に計算する必要があるのはデバイスのごく狭い領域に限られます。それ以外の領域ではキャリアのエネルギーが低いため、通常の二流体モデルによる計算で十分精度のよい結果を得られることから一部の領域にモンテカルロ計算領域を設定してその部分のみキャリアの挙動をモンテカルロ法で計算し、それ以外の領域は二流体モデルで計算するウィンドウモンテカルロ法を採用しています。これにより、大幅な計算機メモリ、計算時間の節約を可能にしています。 電子に関しては非放物線バンドモデル、バンド計算で得られたフルバンドモデル、表面量子化を考慮した擬2次元モデルが、また、正孔に関してはワープトバンド・モデル，フルバンドモデルが組込まれています。散乱機構にはフォノン散乱、イオン化不純物散乱、半導体表面での散乱、プラズモン散乱を考慮しています。また、ゲートリーク電流計算機能、衝突イオン化によるMOSトランジスタの基板電流計算機能も組み込まれています。

ウィンドウモンテカルロ法