イオン注入工程で導入される不純物分布のシミュレーション機能を提供します。Gaussian分布やdual-Pearson4分布などの解析関数モデルだけでなく、高精度なモンテカルロモデルも備え、これを用いれば様々な注入イオン種やターゲット材料の組合わせに対して、高い精度で分布を求めることが出来ます。

熱工程で生じるシリコン内でのドーパント拡散をシミュレーションします。熱工程での格子間シリコンや空孔、点欠陥クラスタが拡散に与える影響を考慮した高精度な拡散モデルでも独自の計算手法で短時間でシミュレーションを可能にします。

酸化工程のシミュレーション機能を提供します。薄い酸化膜厚を高精度に計算する初期増速拡散モデル、酸化膜形状を精度良く再現できる粘弾性モデルを備えています。

半導体プロセス中の熱工程で生じる熱応力を解析し、微細素子で問題となっている応力に起因した電気特性の変動やバラツキを解析する際に威力を発揮します。大きな領域に対しても独自手法で安定して高速なシミュレーションが可能です。

金属と絶縁材料で構成された3次元構造での容量計算を行います。繰返し配置などのパターン作成に便利な機能を備え、高精度な形状表現力と併せて、精度の高い配線容量の見積もりなどに威力を発揮します。

波動光学に基づきCCD、CMOSイメージセンサーなどの内部での光強度分布や吸収エネルギーをシミュレーションします。独自に開発した計算手法で、特別なハードウェアがなくても、従来手法に比べて数十倍以上高速なシミュレーションが可能です。