半導体の開発、製造時の不良解析や歩留まり向上をサポートする半導体シミュレーションプログラムを開発します。それは半導体の製造プロセスを模擬し、素子の電気特性を導出するプログラムです。半導体製造をモデル化した物理や化学の式を理解し、それを解く具体的なプログラムに仕上げます。また、プログラム設計などソフトウェア的な視点も重要です。最近はマルチCPUによる並列化などハードウェアの知識も必要になってきています。
プロセスシミュレーションでは、不純物拡散、イオン注入、酸化、エッチング、デポジションなどのモデルを組み込みます。当社は3次元シミュレータを開発しておりますので、安定した3次元形状計算や3次元メッシュ生成のプログラムが要求されます。デバイスシミュレーションでは、電子電流連続式、正孔電流連続式、ポアソン方程式の3つの式を3次元で、同時に、かつ高速に解く数値計算プログラムを開発しています。
また、Windows、UNIX上での入力/出力GUI(Graphical User Interface)も開発しています。
半導体開発、製造時の不良解析や歩留まり向上をサポートするTCAD適用技術を開発します。素子特性をプロセスデバイスシミュレーションを用いて再現するため、モデルパラメータをキャリブレーションし、半導体製造プロセスや素子特性のばらつきを含めたシミュレーションを行います。半導体製造、半導体物理、MOSトランジスタ、回路、数値計算技術、などの半導体やプロセスデバイスシミュレーション関連知識が必要です。シリコン中の不純物拡散モデル、イオン注入モデル、シリコン酸化モデル、シリサイドモデル、MOSトランジスタモデルなどモデル一般、3D形状計算、3Dメッシュ生成、数値計算の収束性向上など、プロセスデバイスシミュレータを適用するための幅広い知識を必要とします。
営業一般。当社で開発したTCADシミュレータTiSSiENのライセンス販売、シミュレーション解析業務などを行います。海外への販売も多いため、英語力は重要です。